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单晶少子寿命测试仪 少子寿命测试仪 型号：GZ-LT-2

发表时间：2013/5/13  |  点击率：228

单晶少子寿命测试仪 少子寿命测试仪 型号：GZ-LT-2

 

GZ-LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美 A.S.T.M 标准而的用于测量硅单晶的非平衡少数载子寿命。半导体材料的少数载子寿命测量，是半导体的常规测试项目之。本仪器灵敏度较，配备有红外光源，可测量包括集成电路硅单晶在内的各种类型硅单晶，以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。
 
   本仪器根据际通用方法频光电导衰退法的原理，由稳压电源、频源、检波放大器，制的InGaAsp／InP红外光源及样品台共五份组成。采用印刷电路和频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。
　术　　标 ：
 
 测试单晶电阻率范围  >2Ω.cm
 可测单晶少子寿命范围  5μS～7000μS
 配备光源类型  波长：1.09μm；余辉<1 μS；
 闪光频率为：20～30次／秒；
 闪光频率为：20～30次／秒；
 频振荡源  用石英谐振器，振荡频率：30MHz
 前置放大器  放大倍数约25，频宽2 Hz-1 MHz
 仪器测量重复误差  <±20％
 测量方式  采用对标准曲线读数方式
 仪器消耗率  <25W
 仪器作条件  温度： 10-35℃、 湿度 < 80％、使用电源：AC 220V，50Hz
 可测单晶尺寸  断面竖测：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
 纵向卧测：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
 配用示波器  频宽0—20MHz；
 电压灵敏：10mV／cm；

北京恒奥德仪器仪表有限公司

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